特許
J-GLOBAL ID：200903053275691625
選択的なエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103218
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211690
出願日： 1994年04月19日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 エッチング対象物質層のエッチング時にエッチング対象層と共存する他の物質に対するエッチング対象層の選択性を改善するに適合した選択的なエッチング方法を提供する。【構成】 基板上に形成された第1物質層のシリコン膜12上に第1物質層を選択的に露出させる第2物質層である窒化膜13を形成する工程と、第2物質層に対し、エッチング選択比が大きい第3物質を含むエッチング液を利用して第1物質層の露出された表面を、第2物質層に対してエッチング選択比が大きい物質層である酸化膜14に切り換えると共に、第2物質層を除去する工程と、から成る。
請求項（抜粋）：
基板(11)上に形成された第1物質層(12)上に前記第1物質層(12)を選択的に露出させる第2物質層(13)を形成する工程と、前記第2物質層(13)に対しエッチング選択比が大きい第3物質を含むエッチング液を利用して前記第1物質層の露出された表面を、前記第2物質層に対してエッチング選択比が大きい物質層(14)に切換えると共に、前記第2物質層を除去する工程と、からなることを特徴とする選択的なエッチング方法。
引用特許：
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