特許
J-GLOBAL ID：200903053281112718
パワー半導体モジュールおよびそれに使用する絶縁金属基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220614
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240497
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 放熱効率が良好で信頼性が高く、製造が容易なハイパワー半導体モジュールおよびそれに使用される絶縁金属基板を提供する。【構成】 ハイパワー半導体モジュールが外装内で相互接続される半導体チップを支持する絶縁金属基板51を有する。端子板90はスナップアクション式に上記基板51に接続するために端子55,56,57,63等を支持しており、これら端子は絶縁金属板51上の各々の半田付けパッドの上に配置される。端子板90の中央開口から絶縁金属板51と端子板90との間のスペース内にソフトシリコンが充填される。端子板90が上方に伸びるボス91〜94を有しており、上部外装組立体50の底部が上記ボスを端子板90の上部で囲繞する。
請求項（抜粋）：
絶縁外装と、該外装内で相互接続されて所定の電気回路を形成する複数の半導体チップと、上記外装により一つの表面上にて包囲されるとともに該一つの表面上に上記複数の半導体チップを支持する熱伝導性を有する基板と、上記半導体チップにより形成された上記電気回路に一端が接続されて、上記外装の外部回路への接続のために上記外装を介して延在する複数の端子とを含み、上記熱伝導性を有する基板が平坦で相対的に厚い導伝性材料の底板と、該底板の上部の相対的に薄い絶縁材料層と、該絶縁材料層の上に配置されるとともに上記絶縁材料層の上に所定の幾何学的形状を有する相対的に薄い導電材料層とを含み、実質的に全底面にわたって導伝材料の上記相対的に薄い層の領域に接続されて、放熱板を構成する少なくとも一つの導伝プレートとからなり、少なくとも選択された個数の上記半導体チップの底面が互いに近接して上記放熱板の上面に半田付けされて、上記放熱板のほぼ中心に沿う線に沿って一直線に配置されていて、熱が上記チップから上記放熱板の全領域へ伝達されるように構成したことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
引用特許：
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