特許
J-GLOBAL ID：200903053285112887
温度分布均一化電子冷却装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281159
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305275
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、発熱状況が異なる熱源(例えば、半導体レーザ、LSI混載部品)の温度分布を面内でできるだけ均一化できる温度分布均一化電子冷却装置を提供することを課題とする。【解決手段】 光デバイスの中でも発熱の大きいLSI7の近くに位置するペルチェ素子エレメント13c,13dにはフルに電流を流し、それ以外のペルチェ素子エレメント13a,13b,13e,13fにバイパス回路2a,2bを設け、ペルチェ素子エレメント13a,13b,13e,13fに流れる電流を制限することによって、大発熱のLSI7を効率良く放熱すると共に、温度仕様の厳しい半導体レーザ8の温度変動を抑える構成とした。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ、LSIを混載した部品の温度分布を均一に温度コントロールする温度分布均一化電子冷却装置であって、複数のペルチェ素子を直列に接続して構成したペルチェモジュールと、前記ペルチェ素子の全ての電極にそれぞれ独立に接続された電線と、当該電線のうちから選択した、いくつかに接続されたバイパス回路と、前記半導体レーザ、前記LSIを混載した部品の温度を計測する温度センサと、前記温度センサの出力に基づいて、前記ペルチェモジュールに電流を供給する電流制御部により構成され、前記バイパス回路が並列接続された部分の前記ペルチェ素子の電流が、接続されていない部分の前記ペルチェ素子に流れる電流より少なくなることによって、前記ペルチェモジュール内の前記ペルチェ素子毎に、吸熱能力に違いを持たせ、前記半導体レーザ、前記LSIを混載した部品内の発熱量の分布を補償し、面内温度分布を均一化することを特徴とする温度分布均一化電子冷却装置。
IPC (5件)：
H01L 23/38
, H01L 23/34
, H01L 35/28
, H01L 35/32
, H01S 5/024
H01L 23/38
, H01L 23/34 D
, H01L 35/28 C
, H01L 35/32 A
, H01S 5/024
5F036AA01
, 5F036BA33
, 5F036BF05
, 5F073EA29
, 5F073FA16
, 5F073FA25
, 5F073GA23
