特許
J-GLOBAL ID：200903053287860937
プロセスシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232099
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 界面の変動を小さくできるようにしたプロセスシミュレーション方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板と酸化層の界面におけるオキシダント濃度に基づいて前記界面上の各節点の変位ベクトルを所定の時間刻みで計算し、この変位ベクトルに基づいて新堺面を作成するに際し、対象の節点が前時刻に移動したか否かを判定し(ステップ102)、移動有りのときに該計算対象の節点の両側の節点が前時刻に移動しているか否かを判定する(ステップ104)。前記計算対象の節点に隣接するの節点の一方が移動しなかった場合、不動側の節点の前時刻の変位ベクトルの単位ベクトル方向と前記計算対象の節点に隣接する移動した節点の現時刻の変位ベクトルの単位ベクトル方向とを合成し、この合成ベクトルの方向を前記計算対象の節点の変位ベクトルの方向とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と酸化膜層の界面におけるオキシダント濃度に基づいて前記界面上の各節点の変位ベクトルを所定の時間刻みで計算して半導体装置を模擬的に製造するプロセスシミュレーション方法において、前時刻におけるオキシダント濃度の計算時に移動した移動節点の両側で隣接する2つの隣接節点が前記前時刻に移動したか否かを判定し、前記2つの隣接節点の一方が移動して他方が移動しなかったとき、他方の隣接節点の前時刻の変位ベクトルの単位ベクトルと一方の隣接節点の現時刻の変位ベクトルの単位ベクトルを合成した合成ベクトルに基づいて前記移動節点の変位ベクトルの方向を修正し、前記移動節点の修正された変位ベクトルに基づいて前記移動節点上の前記酸化層の膜厚を計算することを特徴とするプロセスシミュレーション方法。
Fターム (4件)：
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045AC11
, 5F045GB07
