特許

J-GLOBAL ID：200903053289158407

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 田中 政博 ,  渡邊 邦彦 ,  轟 悟 ,  手束 勉 ,  吉岡 健 ,  島 健蔵
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202136
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049647
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】大面積で高度な均一性を有するプラズマを生成できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。【構成】導波管内を金属板で仕切り、仕切られた各空間に入るマイクロ波パワーを加減することにより均一なマイクロ波パワー分布を得、均一なプラズマを生成する。【効果】高速CVD成膜、高速ドライエッチング等を、大面積に於いて均一に行うことより薄膜製造の性能、歩留りの向上、スループットの向上の効果がある。

請求項（抜粋）：

ガス供給手段と、真空排気手段を備えた真空容器と、前記真空容器内にマイクロ波を導く導波管と、前記導波管の一端に接続されたマイクロ波放射器と、前記マイクロ波放射器の開口部に真空を封じマイクロ波を透過する窓を備え、前記真空容器内で前記マイクロ波の周波数で電子サイクロトロン共鳴を起こすような磁場の発生手段と、前記真空容器内に基板を固定するためのホルダーを、具備してなるマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波放射器が複数の導波管及びホーンアンテナを組み合わせた構造となっており該マイクロ波放射器の開口部に近接してマイクロ波を透過する窓を設置したことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。