特許
J-GLOBAL ID：200903053293824420
圧電素子基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224539
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056350
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】低温成膜可能であり量産性に優れた成膜方法にて二酸化ケイ素膜を圧電基板上に1μmを越える厚みで形成することにより、遅延時間温度係数がほぼ零となる弾性表面波デバイス用の圧電素子基板を提供することを目的としている。【解決手段】圧電基板上にIDT電極を形成した上で圧電素子基板より熱膨張係数が小さい二酸化ケイ素膜を1μmを越える膜厚で形成したものである。
請求項（抜粋）：
圧電基板上にIDT電極を形成した圧電素子基板上に前記圧電基板より熱膨張係数が小さい二酸化ケイ素膜を1μmを越える膜厚で形成することにより遅延時間温度係数をほぼ零したことを特徴とする圧電素子基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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