特許

J-GLOBAL ID：200903053319778383

トレンチ分離構造を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 小森 重樹 ,  山口 偉久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043916
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342846
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 分離能力に優れかつ信頼性の高いトレンチ分離構造を有する半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1の主表面には素子分離のためのトレンチ10が形成されている。このトレンチ10内部には、半導体基板1と電気的に接続された導電層13が形成されている。この導電層13とトレンチ10の側壁との間に、酸化膜2,12および誘電体膜15が形成されている。導電層13上にはフィールド酸化膜14が形成されている。誘電体膜15はこのフィールド酸化膜14の側壁部からトレンチ10側壁と導電層13との間にまで延在している。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された素子分離のためのトレンチと、前記トンレチ上方に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成された導電層と、前記トレンチ上において、前記導電層から少なくとも前記トレンチ側壁上端角部にまで延びるように形成され、前記第1の絶縁層の比誘電率よりも大きい比誘電率を有する第2の絶縁層と、を備えた、トレンチ分離構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 325 S ,  H01L 29/78 301 R