半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301443
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144969
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】本発明は、従来どおり絶縁基板が融着できるとともに、絶縁基板にクラックが入ったとしても絶縁不良にならない半導体装置を提供する。【構成】本発明は、絶縁基板2上に半導体素子6が取り付けられ、さらに絶縁基板2が放熱板1上に融着される半導体装置であって、絶縁基板2の表裏の回路パターン部3,4を同一形状とし、回路パターン部3間と回路パターン部4間にそれぞれスリット部8を形成し、応力が加わってもクラックをスリット部8に発生させるようにしたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

放熱板上にロー材を介して両面に複数の回路パターン部が形成された絶縁基板が載置され、さらにこの絶縁基板上にロー材を介して半導体素子が載置され、加熱されることにより前記放熱板,絶縁基板および半導体素子が融着される半導体装置において、回路パターン部を絶縁基板の表面および裏面で同一形状とするとともに、前記回路パターン部間にスリット部を形成したことを特徴とする半導体装置。

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