特許
J-GLOBAL ID：200903053322352095
誘電体薄膜の形成方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044175
公開番号（公開出願番号）：特開平7-252658
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 少なくとも2種の原料を用い、熱CVD法により誘電体薄膜を形成する方法および装置において、反応容器内で発生あるいは堆積する微粒子が少なく、膜形成速度が大きく、かつ常に同じ組成の誘電体薄膜を形成することができる方法および装置を提供すること。【構成】 少なくとも2種の気体状態の原料を、被成膜物の置かれた反応容器内へ導入する前に予め混合し、混合ガスとして反応容器内へ導入することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも2種の材料を原料として、熱化学気相堆積法により、誘電体薄膜を被成膜物上に堆積させる誘電体薄膜の形成方法において、少なくとも2種の気体状態の原料を被成膜物の置かれた反応容器内へ導入する前に予め混合し、混合ガスとして反応容器内へ導入することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
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