特許
J-GLOBAL ID：200903053325593700
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125248
公開番号（公開出願番号）：特開平7-333854
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造に関し、表面凹凸の激しい保護膜を精度よく加工することを目的とする。【構成】 半導体基板上に形成されている導体線路を覆って設けられている保護膜にビアを形成するのに使用するレジストが、低粘度の樹脂と高粘度の樹脂との二層構造をとって形成することを特徴として半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されている導体線路を覆って設けられている保護膜にビアを形成するのに使用するレジストが、低粘度の樹脂と高粘度の樹脂との二層構造をとって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/26 511
, H01L 21/027
