特許
J-GLOBAL ID：200903053326726704
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202477
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064870
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 Inの混晶比にかかわらず発光波長の変化の幅が広い半導体発光素子を提供することを目的とする。【構成】 基板上に少なくともn型層4およびp型層6を含み発光層5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記少なくとも発光層のチッ化ガリウム系化合物半導体のチッ素の一部がリンおよび/またはヒ素と置換されている。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記少なくとも発光部のチッ化ガリウム系化合物半導体のチッ素の一部がリンおよび/またはヒ素と置換した化合物半導体である半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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