超臨界二酸化炭素法を用いた基板からフォトレジストおよび残渣の除去

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-535216
公開番号（公開出願番号）：特表2003-513342
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2003年04月08日
要約：

【要約】基板からフォトレジストおよび残渣を除去する方法は、アミンおよび溶剤がフォトレジストおよび残渣を少なくとも一部分溶解するように超臨界二酸化炭素、アミン、および溶剤を基板と接触させた状態を保つことによって始まる。好ましくはアミンは第三アミンである。好ましくは溶剤は、DMSO、EC、NMP、アセチルアセトン、BLO、酢酸、DMAC、PC、およびその混合物からなる群から選択される。次に基板の近傍からフォトレジストおよび残渣を除去する。好ましくはこの方法は、基板を超臨界二酸化炭素および洗浄剤中で洗浄する洗浄のステップが続く。好ましくは洗浄剤は、水、アルコール、その混合物、およびアセトンからなる群から選択される。別の態様では、アミンおよび溶剤は水性フッ化物で置き換えられる。

請求項（抜粋）：

a.超臨界二酸化炭素および水性フッ化物を基板と接触させた状態を保つステップであって、前記基板がフォトレジスト、フォトレジスト残渣、エッチング残渣、およびその組合せからなる群から選択される材料を支持する二酸化ケイ素の表面を有する基板であって、前記水性フッ化物が前記材料から二酸化ケイ素の表面をアンダーカットし、それによって前記材料がアンダーカットされた材料になるようなステップと、 b.水および超臨界二酸化炭素を前記アンダーカットされた材料と接触させた状態を保つステップであって、前記アンダーカットされた材料が二酸化ケイ素の表面から離れ、それによってアンダーカットされた材料が分離された材料になるようなステップと、 c.前記基板の近傍から分離された材料を除去するステップ、とを含む基板の加工方法。

IPC (3件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/304 641

FI (3件)：

G03F 7/42 , H01L 21/304 641 , H01L 21/30 572 B

Fターム (7件)：

2H096AA25 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 2H096LA02 , 2H096LA03 , 5F046MA02 , 5F046MA05

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