ドライエッチングによる平坦化方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010873
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209117
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】化学気相成長膜たとえば非晶質シリコンの表面段差および数μmオーダーの異常突起物を、エッチバック法によって平坦化する。【解決手段】エッチング中の発光スペクトル強度をモニタリングし、その変化点で非晶質シリコン薄膜2とレジストのエッチングレートを変化させる。即ち基板1に薄膜2を形成すると、その表面は5000Å程度の凸凹4が形成され、異常突起物3(1〜5μm程)も発生している。次に、その表面にフォトレジスト膜5を塗布する。(a)エッチング開始から凸凹4が現れるまでは選択比を2程度にしてエッチングを行う。(b)エッチングが進行し、異常突起物3と凸凹4の高さがほぼ等しくなった時点で選択比を1にする。エッチングが進行して凸凹4と異常突起物3とが平坦化され、さらに(c)の1点鎖線までオーバーエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン薄膜の表面に、有機物被膜を塗布し、ドライエッチングすることにより、前記非晶質シリコン薄膜の表面を平坦化することを特徴とするドライエッチングによる平坦化方法。

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