プラズマエッチング方法および電子デバイスの製造方法並びにプラズマエッチング装置およびプラズマ処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194923
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009059
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、エッチングプロセスの再現性および加工精度の向上が可能なin-situプロセス制御方法およびそれを実現する製造装置並びに半導体デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、加工の状態を示す複数種類のプロセス変数とプラズマ生成状態を示す複数種類の制御変数との関係を示すプロセスモデルを格納するプロセスモデル格納部と、前記複数種類のプロセス変数を計測する計測部102と、該計測部で計測された複数種類のプロセス変数を基に、前記プロセスモデル格納部に格納されたプロセスモデルに従って所望の制御変数値を算出する算出部104と、該算出部で算出された所望の制御変数値に基いてプラズマ生成条件を制御する制御部102とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

チャンバ内の被処理基板の上方にプラズマを生成し、この生成されたプラズマ中のイオンを前記被処理基板に印加されたバイアスにより引き込んで前記被処理基板の表面に形成された被エッチング材に対してエッチングを行うプラズマエッチング方法において、エッチャントの状態を示す複数種類のプロセス変数を計測する計測過程と、該計測過程で計測された複数種類のプロセス変数を基に、プロセスモデルに従ってプラズマ生成状態を示す所望の制御変数値を算出する算出過程と、該算出過程で算出された所望の制御変数値に基いてプラズマ生成条件を制御する制御過程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (3件)：

C23F 4/00 A , H01L 21/302 B , H01L 21/302 E

Fターム (20件)：

4K057DA11 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DE06 , 4K057DG20 , 4K057DJ02 , 4K057DM40 , 5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CB02 , 5F004CB05 , 5F004DA00 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07

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