半導体レーザ素子、投受光ユニットおよび光ピックアップ装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340894
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。【解決手段】 MQW活性層7中に不純物としてSi、SeまたはZnが5×1015〜1×1019cm-3の範囲内で添加されている。MQW活性層7中の量子井戸層71の合計の厚みは20nm以上80nm以下に設定される。MQW活性層7の量子井戸層71の数は4以上7以下である。

請求項（抜粋）：

活性層中にシリコン、セレン、亜鉛、ベリリウム、硫黄または炭素が不純物として5×1015cm-3以上1×1019cm-3以下の濃度に添加されたことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 , G11B 7/135

FI (3件)：

H01S 5/343 , G11B 7/125 A , G11B 7/135 Z

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-078290
特開平2-078290
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-346629 出願人：三洋電機株式会社

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