反射防止膜およびそれを有する二層構造感放射線性レジストとその製造方法およびそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029428
公開番号（公開出願番号）：特開平7-239549
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】二層構造感放射線性レジストに関わり、LSI製造におけるリソグラフィプロセスにおいて基板からの放射線反射を低減する。【構成】電子求引性官能基とハロゲン基とを有する共役系重合体を主成分としたことを特徴とする薄膜。

請求項（抜粋）：

電子求引性官能基とハロゲン基とを有する共役系重合体を主成分としたことを特徴とする反射防止膜。

IPC (7件)：

G03F 7/11 502 , C08F 2/34 MCH , C08F138/02 MPU , C08L 49/00 LKM , G03F 7/26 511 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 573 , H01L 21/30 574

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