特許
J-GLOBAL ID:200903053337653210

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-299525
公開番号(公開出願番号):特開2006-114641
出願日: 2004年10月14日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】アルミニウムを主成分とするベース板を有する半導体装置において、ベース板に装着されるネジの締着力の劣化を抑制する。【解決手段】半導体装置は、アルミニウムを主成分とするベース板1およびその上に形成された絶縁基板とを備えている。ベース板1は、該ベース板1を放熱フィン13に固定するための固定ネジ14を受け入れる貫通孔20と、当該貫通孔20に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とする平ブッシュ2とを備えている。【選択図】図3
請求項(抜粋):
アルミを主成分とするベース板と、 前記ベース板上に形成された絶縁基板と、 前記絶縁基板上に搭載された半導体素子とを備え、 前記ベース板は、 該ベース板を所定の冷却装置に固定するためのネジを受け入れ可能な貫通孔と、 前記貫通孔に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備える ことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/36
FI (1件):
H01L23/36 C
Fターム (3件):
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD03
引用特許:
出願人引用 (2件)

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