特許
J-GLOBAL ID：200903053338189607
埋込みチャンネル型電荷結合装置イメージセンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 哲 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-267883
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314780
出願日： 1985年09月20日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【構成】 イメージセンサ(10)は、基板(20)上に形成された輻射検出器(12)の列に沿って配置されたCCDシフトレジスタ(14)を有し、基板(20)のドープされた部分(34)が一連のレジスタ・ゲート(40)の下まで延長してCCDの主埋込みチャンネルを形成している。ドープ部分(34)の中央領域(36)は、ドープ剤濃度が高く、主チャンネル内に、低レベルの電荷を閉じ込めるための体積の小さな補助チャンネルを形成している。【効果】 低レベルの電荷を小体積の補助チャンネル内に閉じ込めることによって、低レベル電荷の転送効率が改善される。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの主表面を有する半導体材料の基板と;上記主表面に沿って列をなして配列された複数の輻射検出器と;上記主表面に隣接しかつ上記輻射検出器の列に沿って伸延する上記基板の細長い部分を占めていて、この細長い部分をこれに隣接する上記基板の部分の導電型と反対の導電型にするような性質のドープ剤を含む、電荷を閉じ込めるための所定幅のチャンネルを形成するチャンネル手段と;上記検出器から上記チャンネル手段へ電荷を転送するための手段と;上記基板の上記主表面上にその主表面から絶縁して設けられ、上記細長い部分の長さ方向に沿った一連の位置を占めていて、上記細長い部分の長さ方向に沿って電荷の転送を行う複数の導電性ゲートと;を有し、上記細長い部分の、ほぼ中央部に位置し上記所定幅よりも小さな幅を有しかつ上記細長い部分の両側辺から隔てられた、上記主表面に隣接した領域は、上記細長い部分の隣接領域よりも高濃度の上記ドープ剤を有し、かつ上記複数の導電性ゲートの下側を連続的に伸延していることを特徴とする、埋込みチャンネル型電荷結合装置イメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/148
, H01L 21/339
, H01L 29/796
H01L 27/14 B
, H01L 29/76 301 A
