特許
J-GLOBAL ID：200903053338887401
進行波型半導体光検出器
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237701
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068717
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 複数の光検出器を周期的に導波路上に配置した進行波型光検出器で、微細加工を行うことなく光検出器を作製し、光吸収効率を向上させ、高耐入力かつ高出力の進行波型半導体光検出器を実現させる。【解決手段】 半絶縁性材料で形成された基板と、前記基板に格子整合したエピタキシャル成長層で形成されたコア層と、前記コア層を上下に挟むように設けられ、前記コア層よりも屈折率が小さいエピタキシャル成長層で形成された上下部クラッド層とを有し、前記コア層上の上部クラッド層の一部を取り除いてなる導波路上に、InGaAs層の光吸収層をn型層及びp型層で挟んだ構成を有するpin型光検出器を所定間隔で周期的に複数個配置する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性材料で形成された基板と、前記基板に格子整合したエピタキシャル成長層で形成されたコア層と、前記コア層を上下に挟むように設けられ、前記コア層よりも屈折率が小さいエピタキシャル成長層で形成された上下部クラッド層とを有し、前記コア層上の上部クラッド層の一部を取り除いてなる導波路上に、InGaAs層の光吸収層をn型層及びp型層で挟んだ構成を有するpin型光検出器を所定間隔で周期的に複数個配置したことを特徴とする進行波型半導体光検出器。
Fターム (13件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA01
, 5F049NA03
, 5F049NA20
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049PA20
, 5F049QA08
, 5F049SE05
, 5F049SS04
, 5F049WA01
, 5F049WA09
