特許
J-GLOBAL ID:200903053339451224
サブマウント材
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
波多野 久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-118414
公開番号(公開出願番号):特開2001-308438
出願日: 2000年04月19日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】組立工程や使用中に熱衝撃が作用した場合においても金属回路層の剥離が少なく、放熱性,耐久性および信頼性に優れたサブマウント材を提供する。【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成るセラミックス基板2aと、このセラミックス基板2a上に形成された金属回路層3aとを具備し、ダイオードを搭載するためのサブマウント材4aにおいて、上記セラミックス基板2aの熱伝導率をK(W/m・K)とする一方、厚さをt(mm)とした場合にK/t比が700以上であることを特徴とするサブマウント材4aである。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウムを主成分とする焼結体から成るセラミックス基板と、このセラミックス基板上に形成された金属回路層とを具備し、ダイオードを搭載するためのサブマウント材において、上記セラミックス基板の熱伝導率をK(W/m・K)とする一方、厚さをt(mm)とした場合にK/t比が700以上であることを特徴とするサブマウント材。
IPC (7件):
H01S 5/022
, C04B 41/88
, C04B 41/89
, C04B 41/91
, H01L 23/12
, H01L 23/15
, H05K 1/03 610
FI (7件):
H01S 5/022
, C04B 41/88 J
, C04B 41/89 A
, C04B 41/91 Z
, H05K 1/03 610 E
, H01L 23/12 J
, H01L 23/14 C
Fターム (4件):
5F073BA01
, 5F073EA28
, 5F073FA15
, 5F073FA22
引用特許:
審査官引用 (2件)
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サブマウント
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-181962
出願人:株式会社トクヤマ
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半導体レーザーのサブマウント
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-229504
出願人:田中貴金属工業株式会社
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