特許
J-GLOBAL ID：200903053348385129
多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127022
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327229
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】配線層あるいは配線層間を接続する導電層中に混在する酸化物等の不純物を少なくし、パターン断線等の不都合を防止でき、また、電気的特性、信頼性、耐久性を向上できる多層配線基板を提供する。【構成】複数の配線層1,4を絶縁層2を介し電気的に絶縁して積層するとともに、絶縁層2を貫通する貫通孔5,7を形成してこの貫通孔5,7内壁に導電層3を設け、この導電層3で絶縁層2表裏の配線層1,4を電気的に導通する多層配線基板20において、配線層1,4の少なくとも1つ、導電層3あるいは配線層1,4と導電層3とを、純度が99.9999%以上の高純度銅を原料として蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等のPVD法により形成した。
請求項（抜粋）：
複数の配線層を絶縁層を介し電気的に絶縁して積層するとともに、前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成してこの貫通孔内壁に導電層を設け、この導電層で前記絶縁層表裏の配線層を電気的に導通する多層配線基板において、前記配線層の少なくとも1つ、前記導電層あるいは前記配線層と前記導電層とを、純度が99.9999%以上の高純度銅を原料として蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティングにより形成したことを特徴とする多層配線基板。
引用特許：
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