特許

J-GLOBAL ID：200903053349751838

SOI基板の製造方法およびその製造装置

発明者： 小椋 厚志 ,  沼沢 陽一郎 ,  土居 陽 ,  丹上 正安
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  日新電機株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092804
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 絶縁体上に単結晶シリコン膜を有する構造(SOI構造)をもつSOI基板を、低いコストで製造する。【解決手段】 酸素原子もしくは窒素原子あるいはその両方を含む分子をプラズマ室10内で正または負のイオンにプラズマ解離する。質量分離(質量分析)せずに加速電極20を用いてプラズマ室10内で生成された正または負のイオンを所定のエネルギーをもつ加速イオンに加速する。加速イオンを反応室30内に設置されたSi基板40に照射する。加熱源50によってSi基板40に熱処理を施すことで、Si基板40内部にSi酸化膜もしくはSi窒化膜あるいはSi酸窒化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

酸素原子を含む分子をプラズマ室内でイオンにプラズマ解離する工程と、前記工程後に加速電極を用いて前記プラズマ室内で生成された前記イオンを所定のエネルギーをもつ加速イオンに加速する工程と、該加速イオンを反応室内に設置されたシリコン基板に照射する工程と、該シリコン基板に熱処理を加えることで該シリコン基板内部にシリコン酸化膜を形成する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (5件)：

H01L 27/12 E ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-255622