特許

J-GLOBAL ID：200903053351972396

窒化物半導体発光素子

発明者： 原田 佳幸 ,  小野村 正明 ,  布上 真也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052772
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258298
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 紫外領域で発光出力が高く、広い発光スペクトルを有し、生産性に優れた窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層103と、p型窒化物半導体層105と、これらの間に設けられた発光層104とを備え、発光層104が、Mgがドーピングされたp型導電性のAlxGa1-xN(0≦x≦1)を含んでなり、400nm以下の紫外域に発光ピークを有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、これらの間に設けられた発光層とを備え、前記発光層が、Mgがドーピングされたp型導電性のAlxGa1-xN(0≦x≦1)を含んでなり、400nm以下の紫外域に発光ピークを有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

Fターム (9件)：

5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA73