特許

J-GLOBAL ID：200903053352885640

金属錯体化合物、電子素子、デバイス、電子素子の駆動方法

発明者： 芳賀 正明 ,  寺田 恵一
出願人/特許権者： 学校法人 中央大学
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-243461
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066542
出願日： 2006年09月07日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】高密度化が可能で、実用性の高い金属錯体化合物、電子素子、およびこれを具備するデバイスを提供する。また、当該電子素子を駆動させるのに最適な電子素子の駆動方法を提供する。【解決手段】多点吸着することで固体表面に直立して単分子層を形成し、当該単分子層が他の金属イオンと錯形成することで積層化が可能で、かつ、レドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする金属錯体化合物である。金属錯体化合物が固体基板上に直立した分子配向をとる単分子層を形成しており、前記単分子層がレドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする電子素子である。また、本発明の電子素子を具備することを特徴とするデバイスである。さらに、本発明の電子素子に電位を印加した後、光を照射することで電流を検出する電子素子の駆動方法である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

多点吸着することで固体表面に直立して単分子層を形成し、当該単分子層が他の金属イオンと錯形成することで積層化が可能で、かつ、レドックス応答性と光電子移動性とを有することを特徴とする金属錯体化合物。

IPC (7件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 27/28 ,  C07F 15/00 ,  C07F 9/655

FI (9件)：

H01L29/28 250F ,  H01L31/08 T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 310D ,  H01L27/10 449 ,  C07F15/00 A ,  C07F9/6558

Fターム (12件)：

4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB91 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088FA04 ,  5F088GA01

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 「金属錯体分子ユニットの基板上でのナノ構造構築とその分子デバイスへの応用」