半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340226
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 CMP法のような研磨技術を用いて配線溝などの凹部に拡散防止膜を介してCu膜などの導電膜を埋め込む場合に、この凹部に埋め込まれた導電膜のディッシングが生じるのを防止することができ、しかもこの凹部に埋め込まれた導電膜の構成元素の拡散を有効に防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上の層間絶縁膜7に接続孔8および配線溝9を形成した後、基板全面に第1の拡散防止膜としてTa膜10をスパッタリング法などにより成膜する。次に、CMP法によりTa膜10を研磨して接続孔8および配線溝9の内部にのみこの膜を残す。次に、基板全面に第2の拡散防止膜としてTiN膜11をスパッタリング法などにより成膜した後、その上に配線形成用のCu膜を電解めっき法などにより十分に厚く成膜して接続孔8および配線溝9を完全に埋め込む。次に、CMP法によりCu膜およびTiN膜11を研磨して接続孔8および配線溝9の内部にのみこれらの膜を残し、Cu配線14をデュアルダマシン配線として形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された凹部に導電膜を埋め込むようにした半導体装置の製造方法において、上記基板上に第1の拡散防止膜を形成する工程と、上記第1の拡散防止膜を研磨することにより上記第1の拡散防止膜を上記凹部の内部にのみ残す工程と、上記基板上に上記第1の拡散防止膜と異なる材料からなる第2の拡散防止膜を形成する工程と、上記第2の拡散防止膜上に上記凹部を埋め込むように上記導電膜を形成する工程と、上記導電膜および上記第2の拡散防止膜を研磨することにより上記導電膜および上記第2の拡散防止膜を上記凹部の内部にのみ残す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

前のページに戻る