特許

J-GLOBAL ID：200903053356011114

炭素膜の形成方法及び炭素膜形成装置

発明者： 坂本 雄一
出願人/特許権者： 有限会社コンサルタント事務所ペテセ
代理人 (2件)： 佐々木 功 ,  川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158009
公開番号（公開出願番号）：特開2004-359482
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】炭素膜の形成に関連する要因を個別かつ定量的に制御し、所望の炭素膜を形成できるようにする。【解決手段】炭素膜の形成に用いる複数のガスをプラズマ発生室に導入し、マイクロ波によりガスをプラズマ化させ、基板上に粒子を堆積させて炭素膜を形成する場合において、複数のガスを時系列に区別して個別にプラズマ発生室内に導入すると共に、それぞれのガスの導入時間を制御し、電力値またはパルス幅が異なる複数の電力をパルス変調により組み合わせたマイクロ波によってガスをプラズマ化することにより、ガスの供給比率を時間的に変化させると共に、個々のガスごとに電子温度及び電子密度並びにプラズマ化の時間を制御する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

炭素膜の形成に用いる複数のガスをプラズマ発生室に導入し、マイクロ波により該ガスをプラズマ化させ、基板上に粒子を堆積させて炭素膜を形成する方法であって、 前記複数のガスを時系列に区別して個別に前記プラズマ発生室内に導入すると共に、それぞれのガスの導入時間を制御し、 前記マイクロ波は、該それぞれのガスごとに電力値またはパルス幅が異なる複数の電力をパルス変調により組み合わせて構成することを特徴とする炭素膜の形成方法。

IPC (3件)：

C30B29/04 ,  C01B31/02 ,  C23C16/27

FI (3件)：

C30B29/04 E ,  C01B31/02 101Z ,  C23C16/27

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077DB20 ,  4G077ED06 ,  4G077EH10 ,  4G077GA10 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TB13 ,  4G077TH05 ,  4G077TH13 ,  4G077TJ18 ,  4G077TK01 ,  4G146AA01 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146DA16 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030EA03 ,  4K030FA02 ,  4K030JA11 ,  4K030KA30