書き込み回数の制限とウエアレベリングを可能にしたフラッシュメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008507
公開番号（公開出願番号）：特開2003-208352
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】書き込み回数を制限することができ,ウエアレベリングを可能にするフラッシュメモリを提供する。【解決手段】本発明は,データ領域とデータ領域に対応する管理領域とを有する複数のページを有し,更に,当該複数のページを有し消去単位のメモリブロックを複数有するフラッシュメモリである。そして,各ページの管理領域に,データが書き込まれる時に,ページを特定するページIDが書き込まれるページID領域と,データが更新書き込みされる時に,同じページIDの複数のページのうち当該書き込み対象ページを最新データ書き込に位置に特定する情報が書き込まれる第1の位置フラグ領域とを設ける。これにより,更新書き込み時に,更新元のページへの書き込み動作を行う必要がなくなる。更に,本発明では,書き込み動作が消去済みの未使用ページに対して順次行われ,書き込み対象の未使用ページがなくなると,ガーベージコレクションが行われる。

請求項（抜粋）：

データ領域とデータ領域に対応する管理領域とを有する複数のページを有し,当該複数のページを有し消去単位のメモリブロックを複数有するフラッシュメモリにおいて,データ書き込みが,消去済みのページに対して行われ,各ページの前記管理領域は,データが書き込まれる時に,ページを特定するページIDが書き込まれるページID領域と,前記データが書き込まれる時に,同じページIDの複数のページのうち,当該書き込み対象ページを最新データ書き込み位置に特定する情報が書き込まれる第1の位置フラグ領域とを有することを特徴とするフラッシュメモリ。

IPC (4件)：

G06F 12/02 510 , G06F 12/02 530 , G06F 12/00 597 , G11C 16/02

FI (6件)：

G06F 12/02 510 A , G06F 12/02 530 C , G06F 12/00 597 U , G11C 17/00 601 E , G11C 17/00 612 F , G11C 17/00 601 B

Fターム (6件)：

5B025AA01 , 5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AE01 , 5B025AE05 , 5B060AA10

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