特許

J-GLOBAL ID：200903053357623334

非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法

発明者： 脇坂 健一郎 ,  佐々木 学
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-273304
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082456
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、CやOを添加することなく、広いバンドギャップ及び高い光導電率を備えたa-Si膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 基板1上に、一導電型の非晶質シリコン層3、i型非晶質シリコン層4、他導電型非晶質シリコン層5を形成してなる光起電力装置の製造方法において、i型非晶質シリコン層4は、プラズマCVD法を用いて膜厚100Å以下のi型非晶質シリコンの形成後、希ガスによるシリコン薄膜の改質処理を交互に繰り返し、所定の膜厚に形成する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法を用いて、膜厚100Å以下のシリコン薄膜形成した後、希ガスをプラズマ反応させて、上記シリコン薄膜の改質処理を行なうことを特徴とする非晶質シリコン薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-072776
  
• 特開平3-217014
  
• 特開平4-346419