特許

J-GLOBAL ID：200903053365567001

不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法

発明者： 菊地 祥子 ,  高島 章 ,  有吉 恵子 ,  村岡 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-036127
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194311
出願日： 2008年02月18日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】電荷トラップ量の大きな電荷蓄積膜を有する高性能なMONOS型の不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上のトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上の電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上のブロッキング絶縁膜と、ブロッキング絶縁膜上の制御ゲート電極と、制御ゲート電極の両側の半導体基板に形成されるソース/ドレイン領域を備え、電荷蓄積膜が、少なくともシリコン窒化膜と、シリコン窒化膜上のLaおよびSiを含む絶縁膜を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上のトンネル絶縁膜と、 前記トンネル絶縁膜上の電荷蓄積膜と、 前記電荷蓄積膜上のブロッキング絶縁膜と、 前記ブロッキング絶縁膜上の制御ゲート電極と、 前記制御ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成されるソース/ドレイン領域を備え、 前記電荷蓄積膜が、少なくともシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜上のLaおよびSiを含む絶縁膜を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (34件)：

5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083GA11 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BD07 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BF02 ,  5F101BH12 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 複数のトラップ膜を備える不揮発性メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-039660   出願人：三星電子株式会社