特許
J-GLOBAL ID：200903053381821040
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294232
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151885
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 配線材料としてアルミニウムを使用することができて製品コストを低減できる半導体加速度センサの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 先ず、半導体ウェハ1の表面に感歪抵抗となる不純物拡散領域2を選択的に形成し、SiO2 膜3及びSiN膜4をマスクとして異方性エッチングを施し、溝5,6を設ける。次に、ウェハ1の表面及び裏面にアルミニウム膜7aを被覆し、ウェハ1の表面側の溝6に対応する部分のアルミニウム膜7aを除去する。そして、アルミニウム膜7aをマスクとしてドライエッチングを施し、ウェハ1の表面から裏面に貫通する開口部9を設ける。その後、アルミニウム膜7aを利用してアルミニウム配線を形成する。
請求項（抜粋）：
質量部と、この質量部を囲む枠部と、前記質量部と前記枠部とを連絡しその表面に感歪抵抗が設けられた梁部とにより構成される半導体加速度センサの製造方法において、半導体ウェハの表面の前記梁部となる領域に前記感歪抵抗となる不純物拡散領域を選択的に形成する工程と、前記半導体ウェハの裏面側の前記質量部となる領域と前記枠部となる領域との間にウェットエッチングにより溝を形成する工程と、前記半導体ウェハの表面及び裏面にアルミニウム膜を被覆する工程と、前記半導体ウェハの表面側の前記溝に対応する領域のうち前記梁部となる領域を除いた部分の前記アルミニウム膜を除去する工程と、前記アルミニウム膜をマスクとしてドライエッチングを施し前記半導体ウェハの表面から裏面に貫通する穴を形成する工程と、前記半導体ウェハの表面上に残存した前記アルミニウム膜を利用してアルミニウム配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体センサの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
