特許

J-GLOBAL ID：200903053389180310

InPベースのIII/V属半導体デバイスの製造方法

発明者： ジェームス ネルソン バイラージェオン ,  アルフレッド イ チョー ,  サン-ニー ジョージ チュ ,  ウェン-イェン ワン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-089014
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065276
出願日： 1997年04月08日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 その上にIII/V属半導体材料をヘテロエピタキシャル成長させるInPベースの半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、ほぼ真空のチェンバ内で熱処理をするステップを含み、そしてこの非平面状の表面特徴物を有する半導体ボディを質量移動温度でもって熱処理し、そしてこの真空チェンバ内でパターン化した主表面を、固体PフラックスソースからのPのフラックスに、質量移動により非平面状の表面特徴物の形状変化が起こるのに必要な時間だけ曝し、この成長ステップの初期期間の間、前記質量移動温度を越えない成長温度に曝すことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

InPベースのIII/V属半導体デバイスの製造方法において、a) 主表面(11)を有するIII/V属半導体ボディを提供するステップと、b) 非平面状の表面特徴物(12)が形成されるように、前記主表面をパターン化するステップと、c) 前記パターン化された主表面上に、P含有III/V属半導体材料(331)層を成長させるステップと、d) デバイスの製造完了に向けて、さらに1つあるいは複数の処理を実行するステップと、e) 真空チェンバ内で前記半導体ボディを質量移動温度に加熱し、そして前記真空チェンバ内で前記パターン化された主表面を、固体PフラックスソースからのPフラックスに、質量移動により非平面状の表面特徴の形状変化を起こる所定時間、曝すステップと、からなり、f) 前記c)のステップでは、半導体ボディを周囲温度に曝すことなく、半導体ボディを前記ステップc)の少なくとも初期期間の間、前記質量移動温度以下の第1成長温度に保持することを特徴とするInPベースのIII/V属半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B