マスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090060
公開番号（公開出願番号）：特開2003-287871
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】半導体製造におけるマスクデータの作成において、同一領域について複数回重複してシミュレーションを行うことを防ぎ、シミュレーション時間を短縮し、データ処理時間を短縮することができるマスクデータ作成装置及びマスクデータ作成方法を提供する。提供する。【解決手段】マスクデータ作成装置100は、入力装置1、出力装置2、通信制御装置3、主記憶装置4、設計パターン記憶装置5及びCPU10を備えており、CPU10が、分割手段11、補正値算出手段12、補正図形作成手段13、第1計算中心点算出手段14、第1矩形領域作成手段15、第2シミュレーション領域作成手段16として光近接効果範囲決定手段16a、第2領域半径決定手段16b及び第1領域半径決定手段16c、第2計算中心点算出手段17及びプロセスシミュレーション実行手段18を、適宜ROMより取り出して実行することにより実現する。

請求項（抜粋）：

設計パターンから補正対象線分を抽出し、抽出した前記補正対象線分を補正に適した長さに分割する分割手段と、各分割辺より補正値算出点を算出する補正値算出手段と、前記補正値算出点及び補正対象となる図形形状を基に、第1計算中心点を設定する第1計算中心点算出手段と、前記第1計算中心点を中心とした第1シミュレーション領域を作成し、前記第1シミュレーション領域が重なっている領域において、複数の第1矩形領域を作成する第1矩形領域作成手段と、前記第1矩形領域内より、第1シミュレーション領域が2つ以上重なる第1矩形領域を抽出して第2矩形領域を得、前記第2矩形領域を基に、第2計算中心点を算出する第2計算中心点算出手段と、前記第2計算中心点を基に第2シミュレーション領域を得る第2シミュレーション領域作成手段と、前記第2シミュレーション領域においてプロセスシュミレーションを用いて各補正値算出点における補正値を算出するプロセスシミュレーション実行手段と、前記補正値を用いて、各辺に対し図形処理を行い補正図形を作成する補正図形作成手段とを含むことを特徴とするマスクデータ作成装置。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/82

FI (4件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/82 C , H01L 21/82 D

Fターム (7件)：

2H095BA10 , 2H095BB01 , 5F064GG10 , 5F064HH06 , 5F064HH09 , 5F064HH11 , 5F064HH15

前のページに戻る