特許
J-GLOBAL ID：200903053394289088

インダクタ及びその製造方法

発明者：
青野 浩二

青野 浩二 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161935
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上に導体層と磁性体層の積層からなるインダクタを形成する際に、磁性体層の形成工程を簡略にする。【構成】 半導体基板1上に、光照射によって電子を放出する光電子供与基及び光照射によって電子を受容する電子受容基の一方または双方を側鎖として有する光重合性有機物モノマーの層2を設け、これに所要パターンの光を照射して照射部位を重合硬化させ、この硬化層3に重ねて所要パターンの導体層5を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にコイル状パターンに形成された導体層と、この導体層の上下両面またはその片面に積層されている磁性材料層とよりなり、この磁性材料層は光硬化性強磁性有機物の光硬化層であることを特徴とするインダクタ。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01L 21/312
引用特許：
審査官引用 (3件)

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