特許

J-GLOBAL ID：200903053394912184

電界吸収型光変調器

発明者： ▲高▼橋 誠哉
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-305055
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 電子の閉じ込めを強くして効率の良い量子効果が得られ、価電子帯の障壁を低くして正孔のパイルアップを阻止する電界吸収型光変調器を提供する。【解決手段】 量子井戸層2を量子井戸層の禁制帯幅より広い禁制帯幅を有する障壁層Iと障壁層Iの禁制帯幅より広い禁制帯幅を有する障壁層IIにより狭持した量子井戸構造より成る光吸収層4を具備する電界吸収型光変調器。

請求項（抜粋）：

量子井戸層を量子井戸層の禁制帯幅より広い禁制帯幅を有する障壁層Iと障壁層Iの禁制帯幅より広い禁制帯幅を有する障壁層IIにより狭持した量子井戸構造より成る光吸収層を具備することを特徴とする電界吸収型光変調器。

IPC (2件)：

G02F 1/017 506 ,  G02F 1/017 502

FI (2件)：

G02F 1/015 601 F ,  G02F 1/015 601 B

Fターム (16件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079DA25 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB02 ,  2H079EB04 ,  2H079HA12 ,  2H079HA13 ,  2H079HA14 ,  2H079HA15