特許

J-GLOBAL ID：200903053405438684

トンネルトランジスタ

発明者： 馬場 寿夫 ,  植村 哲也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341593
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175514
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 低消費電力,高速動作,高集積化が可能なトンネル現象利用のトランジスタを提供する。【構成】 第4の半導体にn型のイオン化不純物が添加してあるため、ゲート電圧を印加しないときでも伝導帯エネルギーの低い第2の半導体表面に電子が蓄積されており、ソース・ドレイン間は等価的な薄いp+ -n+ トンネルダイオード構造が形成されている。このため、電子蓄積のための大きな正のゲート電圧を必要とせず、ゲートリーク電流が抑制できる。

請求項（抜粋）：

基板上に一導電型を有する縮退した第1の半導体と、縮退していない第2の半導体と、前記第1の半導体と反対の導電型を有し縮退した第3の半導体とを連結した構造を有し、少なくとも前記第1の半導体と第2の半導体の露出表面に前記第2の半導体よりも禁止帯幅が広く、イオン化不純物を含有する第4の半導体と、この第4の半導体上の電極を有し、前記第1の半導体と第3の半導体にそれぞれオーミック電極を設けたことを特徴とするトンネルトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 H