高純度イオンシャワーを用いるSOI構造の作成

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-513226
公開番号（公開出願番号）：特表2009-539256
出願日： 2007年05月24日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

母体基板にイオンを注入するために純化イオンシャワーを用いる、SOI構造及びSOG構造を作成するための方法が開示される。純化イオンシャワーにより、便宜がよく、効率的であり、低コストであって、有効なイオン注入が得られ、同時に、剥離膜への損傷が最小限に抑えられる。

請求項（抜粋）：

絶縁体上半導体構造を形成するプロセスにおいて、 (I)第1の母体基板外部表面を有する、半導体材料からなる母体基板を提供する工程、及び (II)前記第1の母体基板外部表面の下のいくらかの深さにあるイオン注入域に前記第1の母体基板外部表面を通して第1の種に属する複数のイオンを、前記イオン注入域と前記第1の母体基板外部表面の間に挟み込まれた、剥離膜である前記半導体材料の少なくとも50nm厚部分の構造が実質的に損傷を受けないように、電磁分離によって純化された第1のイオンシャワーを用いることによって注入する工程、を有してなるプロセス。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L21/265 Q , H01L27/12 B , H01L21/265 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

結晶薄膜基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-256036 出願人：日新電機株式会社
イオン注入処理方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-530464 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
イオン源
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228820 出願人：石川島播磨重工業株式会社

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