特許

J-GLOBAL ID：200903053411285997

放射光・X線反射用SiCミラーの製造方法

発明者： 福岡 聖一 ,  辻 直樹
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071626
公開番号（公開出願番号）：特開平6-281795
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 使用中にSiC膜の剥離・変形およびピンホールが生じ難く長寿命であり、且つ使用中に周囲の真空度を低下させる恐れが極めて少ない放射光・X線反射用SiCミラーを提供する。【構成】 純度が99%以上、粒径が0.01〜0.2μm、表面積が30m2/g以上のSiC超微粉末を焼結助剤を添加せずにカーボン型に入れ、その超微粉末に50kg/cm2以上の圧力を加えながら1900〜2200 ゚Cの温度で不活性雰囲気中で焼成して焼結SiC基材を形成する。その後、前記焼結SiC基材の表面に化学蒸着法によりSiC膜を形成し、その膜をミラー研磨する。

請求項（抜粋）：

純度が99%以上、粒径が0.01〜0.2μm、表面積が30m2/g以上のSiC超微粉末を焼結助剤を添加せずに成形型に入れ、その超微粉末に50kg/cm2以上の圧力を加えながら1900〜2200 ゚Cの温度で不活性雰囲気中で焼成して焼結SiC基材を形成する工程と、前記焼結SiC基材の表面に化学蒸着法によりSiC膜を形成する工程と、前記SiC膜をミラー研磨する工程とを具備することを特徴とする放射光・X線反射用SiCミラーの製造方法。

IPC (2件)：

G21K 1/06 ,  G02B 5/08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 複合材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-147669   出願人：日本ピラー工業株式会社