薄膜形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059986
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260728
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成すること。【解決手段】予備加熱装置によりプロセスガスを反応管とほぼ同温度まで予備加熱し反応管内へ供給するものである。【効果】プロセスガスは反応管とほぼ同温度まで予備加熱され反応管へ供給される為、導入管及びプロセスガス導入口近傍での温度低下がなく、半導体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できるという効果を有する。

請求項（抜粋）：

加熱された反応管内にプロセスガスを導入して、前記反応管内に装着した半導体基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、プロセスガスを前記反応管導入前に予備加熱するための機構を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

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