特許

J-GLOBAL ID：200903053414796437

半導体装置並びに半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜用組成物

発明者： 長谷川 雄二 ,  武田 信司 ,  湯佐 正己 ,  宮寺 康夫
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121396
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【構成】 下記化1〔一般式(I)〕で表わされる構成単位を含む含フツ素ポリイミド、例えば、1,3-ジアミノ-5-(パーフルオロノネニルオキシ)ベンゼンと2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物の反応によって得られるポリイミドを半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として用いてなる半導体装置。【化1】〔ただし、一般式(I)中、Rはテトラカルボン酸二無水物の四価の残基、Rfは-CnF2n-1(ここで、nは6〜12の整数である)を示し、ベンゼン環の水素は置換されていてもよい〕。【効果】 上記半導体装置は耐湿性に優れ、低誘電率の層間絶縁膜及び/又は表面保護膜を有する。

請求項（抜粋）：

化1〔一般式(I)〕【化1】〔ただし、一般式(I)中、Rはテトラカルボン酸二無水物の四価の残基、Rfは、-CnF2n-1(ここでnは6〜12の整数を示す)を示し、これは二重結合を1個含み、適宜分岐していてもよく、ベンゼン環の水素は、適宜置換基で置換されていてもよい〕で表される構成単位を含んでなる含フツ素ポリイミドを含有してなる樹脂膜を半導体の多層配線用層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として用いてなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 73/10 NTF