特許

J-GLOBAL ID：200903053419584829

半導体装置の製造方法

発明者： 東 賢一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-323706
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320990
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 シリコンと高融点金属を反応させてシリサイドを形成する場合に、シリコン中に酸素が含まれていたり、 850°Cよりも高温で長時間熱処理を施すとシリサイド膜が高抵抗化してしまう。【解決手段】 シリコン基板lの不純物拡散層形成領域やシリコン基板l上に形成された多結晶シリコンに不純物を注入する場合に、TiN膜等の注入保護膜7を介して前記シリコン不純物を注入し、注入された不純物を活性化するための熱処理を行って不純物拡散層3を形成した後、注入保護膜7を除去し、別途、不純物拡散層3が形成されているシリコン上に密接して高融点金属膜8を形成し、熱処理によって前記シリコンと高融点金属膜8とを反応させて高融点金属シリサイド9を形成する。

請求項（抜粋）：

不純物拡散層を有するシリコン基板及び/又は前記シリコン基板上に形成されるシリコン層上に高融点金属を密接して形成し、前記高融点金属とシリコン基板及び/又は前記シリコン基板上に形成されるシリコン層との反応により選択的に高融点金属シリサイドを形成する方法において、高融点金属、又は、酸素を含まない高融点金属化合物から成る注入保護膜を介して、前記シリコン基板及び/又は前記シリコン基板上に形成されるシリコン層へ不純物を注入する工程と、注入された不純物を活性化するための熱処理を行い、不純物拡散層を形成する工程と、前記不純物拡散層が形成されているシリコン基板及び/又は前記シリコン基板上に形成されるシリコン層上に密接させて高融点金属を形成する工程と、熱処理によって前記シリコン基板及び/又は前記シリコン基板上に形成されるシリコン層と前記高融点金属とを反応させて高融点金属シリサイドを形成する工程と、前記高融点金属シリサイド以外の高融点金属又は高融点金属化合物を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/265 H ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 29/78 301 P