特許

J-GLOBAL ID：200903053433053194

磁気デバイス及び固体磁気メモリ

発明者： 田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273952
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084019
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 CPP型GMRデバイスにおいて、ハード層の安定性に優れ、より高密度で、作製が容易な磁気デバイスを提供する。【解決手段】 基板上に細孔層があり、該細孔層の一部もしくは全てに強磁性層と非磁性層が積層されており、電流を該細孔の軸方向に印加して用いる磁気デバイスにおいて、細孔層の積層構造中に、複数の強磁性層16、17同士が非磁性層18を介して反強磁性的結合を有する積層構造部分であるハード層15と、フリー強磁性層14とが非磁性層19を介して積層されたことを特徴とする磁気デバイス;並びに、この磁気デバイスを具備する固体磁気メモリ。

請求項（抜粋）：

基板上に細孔が形成された細孔層を有し、且つ該細孔内の一部もしくは全てに強磁性層と非磁性層が積層されており、且つ電流を該細孔の軸方向に印加して用いる磁気デバイスにおいて、該細孔内の積層構造中に、複数の該強磁性層同士が該非磁性層を介して反強磁性的結合を有する積層構造部分であるハード層と、フリー強磁性層とが、非磁性層を介して積層されてなることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

2G017AA10 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10