特許

J-GLOBAL ID：200903053433230703

ICチップ用故障断面観察方法およびその装置

発明者： 二川 清
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320375
公開番号（公開出願番号）：特開平8-179016
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ICチップ上で断面露出をすべき箇所を明確に特定し所定の観察情報を有効に捕捉し得るICチップ用故障断面観察方法等を提供する。【構成】半導体ICチップ上の故障被疑箇所を絞り込む第1の工程10と、この第1の工程10で絞り込まれた箇所に電流を供給する第2の工程11Aと、第1の工程10で絞り込まれた箇所に集束したイオンビームを照射する第3の工程11Bと、供給した電流の変化を検出する第4の工程11Cとを備え、検出された電流変化信号に基づいて表示部にて当電流変化の位置出しを行いイオンビームによる断面出しを行う第5工程12を含む。

請求項（抜粋）：

半導体ICチップ上の故障被疑箇所を絞り込む第1の工程と、この第1の工程で絞り込まれた箇所に電流を供給する第2の工程と、前記第1の工程で絞り込まれた箇所に集束したイオンビームを照射する第3の工程と、前記供給した電流の変化を検出する第4の工程とを備え、前記検出された電流変化信号に基づいて像表示部にて当該電流変化の位置出しを行いイオンビームによる断面出しを行う第5工程を含むことを特徴としたICチップ用故障断面観察方法。

IPC (5件)：

G01R 31/302 ,  G01N 1/32 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  G06T 7/00

FI (2件)：

G01R 31/28 L ,  G06F 15/62 405 A