特許

J-GLOBAL ID：200903053435564188

メモリセルの情報の消去方法

発明者： 山田 誠司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-265682
公開番号（公開出願番号）：特開平6-119789
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】消去に必要な時間が短く、なおかつ消去時のしきい値の分布を狭くするメモリセルの情報の消去手段を提供し得る。【構成】第1のワ-ド線 W2n-1を共有する第1のメモリセル列と、第2のワ-ド線 W2nを共有する第2のメモリセル列とを有し、上記第1のメモリセル列及び上記第2のメモリセル列は、一つのソ-スを共有し、当該ソ-スに対して対称的に配列されいる不揮発性半導体記憶装置において、まず、上記第1のメモリセル列の各メモリセルの情報の消去を一度に行う。この後、上記第2のメモリセル列の各メモリセルの情報の消去を一度に行う。これにより、メモリセルの消去を行う際の時間が短く、なおかつ消去時のしきい値の分布が狭くなる。

請求項（抜粋）：

第1のワ-ド線を共有する第1のメモリセル列と、第2のワ-ド線を共有する第2のメモリセル列とを有し、上記第1のメモリセル列及び上記第2のメモリセル列は、一つのソ-スを共有し、当該ソ-スに対して対称的に配列されいる不揮発性半導体記憶装置において、上記第1のメモリセル列の各メモリセルの情報の消去を一度に行い、その後、上記第2のメモリセル列の各メモリセルの情報の消去を一度に行うことを特徴とするメモリセルの情報の消去方法。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-137298
  
• 特開平3-219496
  
• 特開平4-159696
  
• 特開平1-091395