特許

J-GLOBAL ID：200903053439746477

半導体量子ドット構造及びその製造方法

発明者： 岡本 浩
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168089
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347662
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】より製造可能な発光波長範囲が広く、かつ、より欠陥が少なく光学特性に優れ、作成上の制約も少ない半導体量子ドットを均一性、再現性良く作製することにある。【解決手段】半導体基板101上に半導体量子ドット105が形成される構造において、前記半導体量子ドット105が半導体基板101を構成する半導体材料とは組成、或いは構成元素が異なる半導体材料からなる少なくとも1層の薄膜半導体層106と積層されており、上記薄膜半導体層106の少なくとも1層に、又は上記薄膜半導体層106の少なくとも1層と上記半導体量子ドット105の双方にビスマスが添加されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットが半導体基板を構成する半導体材料とは組成、或いは構成元素が異なる半導体材料からなる少なくとも1層の半導体薄膜層と積層されており、上記半導体薄膜層の少なくとも1層に、又は上記半導体薄膜層の少なくとも1層と上記半導体量子ドットの双方にビスマスが添加されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。

IPC (2件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

Fターム (22件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB16 ,  5F045DA56 ,  5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AF15 ,  5F173AF18 ,  5F173AH03 ,  5F173AH04 ,  5F173AJ01 ,  5F173AP06 ,  5F173AP60 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR02 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許掲載公報第3239821号、「歪半導体結晶の製造方法」