特許
J-GLOBAL ID：200903053440659308
光電変換素子及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063645
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260492
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 光の利用効率を高めた、光電気化学反応を用いた光電変換素子を提供する。【解決手段】 太陽光などの光が入射されて光電変換が行われる半導体電極1に対して、電解質層3を挟んで半導体電極1に対面するようにさらに半導体電極2を設け、これらの半導体電極1、2の間に、例えば金属メッシュ状電極など、光を通過させるとともに電解質層3の電解質イオンを通過させるように構成された電流取り出し用の対向電極4を形成することによって、半導体電極1において用いられずに透過された光をさらに半導体電極2によって光電変換して、光の利用効率を高めて光電変換効率を向上させることができる。半導体電極1、2には、微細孔を有する金属酸化物多孔質体を用いることによって、さらに高効率化が実現される。
請求項（抜粋）：
金属酸化物多孔質体からなる半導体材料を用いて形成された2つの半導体電極と、電解質層とを備え、前記2つの半導体電極は、前記電解質層を挟んでそれぞれの表面が対面されるように配置されて、前記2つの半導体電極の間の前記電解質層内にある所定の位置に電流取り出し用の対向電極が設けられ、前記対向電極は、前記2つの半導体電極の一方の半導体電極側から入射された光のうち前記一方の半導体電極を透過した光を、他方の半導体電極へと通過させるとともに、前記対向電極によって分割された前記電解質層の2つの領域を連通させて、前記電解質層の電解質イオンが通過可能なように形成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032HH04
