特許
J-GLOBAL ID：200903053440987135
容量性圧力センサ及び容量性差圧センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082457
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013026
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 電極をシルクスクリーン印刷法又はスパッタリングとは別のやり方で製造する、容量性圧力センサ乃至は容量性差圧センサを提供することである。【解決手段】 上記課題は、第1及び第2表面ならびに周面を有する基板1を含み、導電性材料からなるプレート状第1の電極14を含み、プレート状第1の電極は第1表面に形成される切欠部に第1接合材料16によって耐高圧に及び高真空気密に固定され、基板を貫通して第1電極から第2表面に又は周面に導かれるスルーコネクション17を含み、ダイヤフラム2を含み、ダイヤフラムは基板の上に切欠部の外側に第2接合材料26によって接合箇所に沿って固定され、ダイヤフラム自体が第2電極を形成するか又は第1電極に面した表面で第2電極24によって被覆され、第2電極は接合箇所18を貫通して接続される、容量性圧力センサによって解決される。
請求項（抜粋）：
容量性圧力センサ(10)において、該容量性圧力センサ(10)は次のものを含む、すなわち、第1の及び第2の表面(11、12)ならびに周面(13)を有するセラミック、ガラス又は単結晶材料から成る基板(1)を含み、導電性材料からなるプレート状の第1の電極(14)を含み、該プレート状の第1の電極(14)は、前記第1の表面に形成される切欠部(15)に第1の接合材料(16)によって、耐高圧に及び高真空気密に固定されており、前記基板(1)を貫通して前記第1の電極(14)から前記第2の表面(12)に又は前記周面(13)に導かれるスルーコネクション(17)を含み、セラミック、ガラス又は単結晶材料から成るダイヤフラム(2)を含み、該ダイヤフラム(2)は前記基板(1)の上に前記切欠部(15)の外側に第2の接合材料(26)によって接合箇所(18)に沿って固定されており、前記ダイヤフラム(2)はそれ自体で第2の電極を形成するか、又は前記第1の電極(14)に面した表面において第2の電極(24)によって被覆されており、該第2の電極(24)は前記接合箇所(18)を貫通して接続されている、容量性圧力センサ(10)。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
2F055AA40
, 2F055BB01
, 2F055BB05
, 2F055CC02
, 2F055DD07
, 2F055DD09
, 2F055DD19
, 2F055EE25
, 2F055FF43
, 2F055GG12
