特許
J-GLOBAL ID：200903053442069516
半導体装置製造用研磨剤及び該研磨剤の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077058
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270400
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 研磨粒子を水に分散させる工程が不要であり、研磨剤スラリー中での研磨粒子の分散性が際めて良好で、長期間保存しても研磨粒子の凝集や沈降がなく、乳化重合時に研磨粒子の粒径が任意に制御でき、その形状は球形であるため安定した研磨特性が得られ、被研磨表面に傷の発生がなく、研磨粒子が樹脂であるため、研磨後に酸素プラズマ等で燃焼させることにより、被研磨膜表面から完全に除去することが可能である、などの特徴を有しているため安定した研磨特性が得られ、さらに傷やディッシング、残留粒子のない研磨膜表面が得られるため、研磨粒子の残留による信頼性の低下や製品歩留まりの低下等の半導体装置製造における不良を引き起こすことがない半導体装置製造用研磨剤、及び該研磨剤の製造方法を提供する。【解決手段】 乳化重合により得られるビニル化合物重合体樹脂粒子を含有する水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤、及びビニル化合物を乳化重合する上記の半導体装置製造用研磨剤の製造方法。
請求項（抜粋）：
乳化重合により得られるビニル化合物重合体樹脂粒子を含有する水性エマルジョンからなる半導体装置製造用研磨剤。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
H01L 21/304 321 P
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 C
