特許

J-GLOBAL ID：200903053442100944

半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法

発明者： 藤井 靖子 ,  藤井 靖久 ,  片岡 真 ,  平井 健太郎
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084966
公開番号（公開出願番号）：特開平9-272846
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ表面への汚染が少ない半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】 基材フィルムの片表面に、主モノマー(a)67〜98.9重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー(b)1〜30重量部、及び、共重合性とアニオン性界面活性を有する特定の構造の水溶性コモノマー(c)0.1〜3重量部を含むモノマー混合物100重量部を共重合させた粘着剤ポリマー100重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤0.3〜15重量部を含む粘着剤層が設けられた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法。

請求項（抜粋）：

基材フィルムの片表面に、主モノマー(a)67〜98.9重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー(b)1〜30重量部、並びに、一般式(1)〔化1〕【化1】(式中、R1はアルキル基、アルケニル基、アルキルフェニル基、アルケニルフェニル基又は脂肪酸残基を、R2は水素原子又はメチル基を示し、Aは炭素数2〜3のアルキレン基を、nは0〜100の整数を示し、Mは1価の陽イオンを示す)及び一般式(2)〔化2〕【化2】(式中、R1はアルキル基、アルケニル基、アルキルフェニル基、アルケニルフェニル基又は脂肪酸残基を、R2は水素原子又はメチル基を示し、Aは炭素数2〜3のアルキレン基を、nは0〜100の整数を示し、Mは1価の陽イオンを示す)で表されるスルホコハク酸ジエステル塩の群から選ばれた少なくとも1種の水溶性コモノマー(c)0.1〜3重量部を含むモノマー混合物100重量部を共重合させた粘着剤ポリマー100重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤0.3〜15重量部を含む粘着剤層が設けられていることを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。

IPC (8件)：

C09J 7/02 JKK ,  C09J 7/02 JJW ,  C09J 7/02 JJY ,  C09J 7/02 JJZ ,  C09J 7/02 JKA ,  C09J 7/02 JKE ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/304 321

FI (8件)：

C09J 7/02 JKK ,  C09J 7/02 JJW ,  C09J 7/02 JJY ,  C09J 7/02 JJZ ,  C09J 7/02 JKA ,  C09J 7/02 JKE ,  C09J 7/02 JLE ,  H01L 21/304 321 B