特許

J-GLOBAL ID：200903053442995801

レジストパターンの作成方法および半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 小野塚 利彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-106343
公開番号（公開出願番号）：特開平10-301294
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅系反応レジストを用いて高精度なレジストパターンを半導体ウエハ上に形成することのできる技術を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1上に塗布された化学増幅系反応レジスト2の表面に、光酸発生剤を含み中性または弱酸性の反射防止膜3を塗布した後、露光によって反射防止膜3に酸触媒7a、化学増幅系反応レジスト2に酸触媒7bをそれぞれ発生させ、露光後の拡散で失われる化学増幅系反応レジスト2の酸触媒7aを反射防止膜3に発生した酸触媒7bによって補い、化学増幅系反応レジスト2内の触媒濃度を均一に保つ。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上の被エッチング膜の表面に化学増幅系反応レジストを塗布した後、前記化学増幅系反応レジストの表面に光酸発生剤を含む水溶性の反射防止膜を塗布する工程と、フォトマスクを介して前記半導体ウエハに放射線を照射し、前記反射防止膜および前記化学増幅系反応レジストにそれぞれ触媒を発生させる工程と、前記半導体ウエハに現像処理を施す工程とを有することを特徴とするレジストパターンの作成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 574