半導体記憶装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306631
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161936
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】メモリセル面積を縮小し高密度に集積化が可能な半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】半導体記憶装置はトレンチ(16、63、75)の下部に横方向拡大部(17)を設けたキャパシタを備え、この横方向拡大部の上方にはトランジスタや素子分離領域などを設けており、集積度が向上している。この横方向拡大部は基板とシリコン層に挟まれたシリコン酸化膜(12)にエッチングで形成したり、半導体基板に予め形成された凹部(62、72)として得られる。このような凹部が形成された半導体基板上にシリコン層を積層あるいは他の半導体基板を接着し、この凹部に達するトレンチを形成して所定の膜形成を行うことにより所望のトレンチキャパシタが得られる。この凹部が形成された半導体基板の全面あるいは凹部に酸化膜(73、77)を形成して絶縁性を向上させることにより放射線の影響をなくすことができる。

請求項（抜粋）：

下部に横方向拡大部を有するトレンチキャパシタと、この横方向に拡大されたトレンチキャパシタの上方の素子領域にメモリセル構成要素を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 D , H01L 27/10 325 G , H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-275663
特開平4-137557
特開平3-203368

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